消息称长鑫存储计划进军 NAND 闪存市场，将与三星、SK 海力士、美光竞争

消息称长鑫正准备进入闪存市场，与三星、海力士、美光正面竞争

AI 导读

据路透社援引三位知情人士报道，长鑫存储计划在北京新工厂建设 NAND 闪存研发生产线，并已就 NAND 业务与客户接洽。TrendForce 数据显示，2026 年第二季度三星以 29.3% 营收份额居全球闪存市场首位；同期长鑫 DRAM 营收达 146.24 亿美元，环比增长 99.3%，市占率从 7.6% 升至 9.5%。

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IT之家 9 月 18 日消息，据路透社消息，三位知情人士透露，长鑫存储正计划进军需求激增的闪存（flash memory）市场。

知情人士透露，长鑫存储计划在其位于北京的新工厂建设一条用于 NAND 闪存研发生产线。该公司还在北京设立了研发机构，相关研发项目包含了 NAND 技术的开发。

此外，长鑫存储已就其 NAND 业务规划与客户展开接洽，其中包含一家新成立的初创企业。该企业计划采购长鑫存储的 NAND 芯片，用于人工智能系统及超级计算机的存储产品研发与部署。

IT之家注意到，TrendForce 集邦咨询数据显示，按营收口径计算，三星电子以 29.3% 的市场份额在 2026 年第二季度位居全球闪存市场榜首，SK 海力士位列次席，美光紧随其后。

长鑫存储 DRAM 内存营收则在 2026 年第 2 季度达到 146.24 亿美元（现汇率约合 983 亿元人民币），环比增幅达到 99.3%，市占则从 2026Q1 的 7.6% 提升至 9.5%。