SK 海力士计划 2026H2 出样 HBM4E：基于 1c DRAM，2027 年量产

IT之家 4 月 23 日消息，SK 海力士 (hynix) 当地时间今日举行了 2026Q1 财报电话会议，会上该企业高管表示海力士的 HBM4E 内存正以 2027 年量产的目标顺利推进开发工作，计划 2026H2 开始供应样品。

SK 海力士在 HBM4E 上将使用基于 1c nm 制程工艺的 DRAM 裸片，这一节点已在多款其它产品中得到验证，良率和量产能力达到了成熟阶段；而基础裸片部分正在基于满足客户性能要求的最优技术进行开发。

SK 海力士代表认为谷歌 TurboQuant 等数据压缩技术的设计意图是提升内存应用效率而不是减少内存用量。随着 AI 服务变得更加普及，内存需求还会进一步增加；而 AI 服务的多样化也将推动存储半导体的进一步分层。

在闪存端，该企业目标在 2026 年将超过一半的韩国本土产能转换为 V9 NAND，从 176 层 V7 到 321 层 V9 的跨越式进步将大幅提升 NAND 生产效率。

SK 海力士未来的产能扩充重心是逐步推进的龙仁半导体集群，目前没有其它的晶圆厂建设或收购计划，但其同时表示将灵活应对全球内存需求的中长期增长。